變電站二次及通信設(shè)備芯片以往均依賴進(jìn)口。2020年9月，國(guó)網(wǎng)特高壓事業(yè)部組織國(guó)網(wǎng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)研究院、中國(guó)電力科學(xué)研究院、中南電力設(shè)計(jì)院有限公司等單位成立專項(xiàng)工作組，以武漢1000千伏變電站為試點(diǎn)，對(duì)武漢站采用自主可控芯片的二次設(shè)備開展系列專題研究。

“工作組逐步確定試用原則和試用方案：對(duì)于控制保護(hù)設(shè)備，具備芯片自主可控條件的，本期均進(jìn)行掛網(wǎng)試運(yùn)行;對(duì)于其他二次、通信設(shè)備，已完成研發(fā)檢測(cè)、能夠滿足投運(yùn)時(shí)間要求的，均開展試用?，F(xiàn)階段，絕大多數(shù)采用自主可控芯片的二次設(shè)備均可通過專項(xiàng)測(cè)試為推動(dòng)自主可控芯片設(shè)備在電網(wǎng)工程中的應(yīng)用落地。”國(guó)網(wǎng)經(jīng)研院設(shè)計(jì)中心副主任黃寶瑩介紹說。

國(guó)網(wǎng)經(jīng)研院通自中心處長(zhǎng)劉穎介紹說，武漢特高壓變電站本期新建二次及通信設(shè)備共25類，其中保護(hù)設(shè)備10類，自動(dòng)化、直流電源及輔助設(shè)備12類，通信設(shè)備3類。通過充分論證，10類保護(hù)設(shè)備本期全部進(jìn)行自主可控芯片試點(diǎn)，自動(dòng)化、直流電源及輔助設(shè)備中5類進(jìn)行試點(diǎn)，通信設(shè)備中1類進(jìn)行試點(diǎn)，共計(jì)試點(diǎn)芯片設(shè)備16類，自主可控芯片試用率為64%。

專家表示，特高壓變電站，作為中國(guó)基建實(shí)力的代表，芯片的自主可控具有重要意義。

一方面，武漢站自主可控芯片的應(yīng)用，將帶動(dòng)電力設(shè)備制造業(yè)的升級(jí);另一方面，自主可控芯片的大規(guī)模工業(yè)化應(yīng)用也將促進(jìn)國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)的產(chǎn)業(yè)升級(jí)，從應(yīng)用—反饋—升級(jí)到再應(yīng)用的反復(fù)迭代，將促進(jìn)自主可控芯片制造、芯片應(yīng)用、芯片優(yōu)化等的立體升級(jí)。