5月30日，在2018年SNEC“十大亮點”發(fā)布會上，保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片憑借出色的技術(shù)參數(shù)、客戶聲譽、過往業(yè)績及未來潛力脫穎而出，榮獲本屆展會“十大亮點”評選最高級別獎項——太瓦級鉆石獎。

保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片，開創(chuàng)性地采用了“正面制絨”+“背面拋光”的獨特工藝，同時具備優(yōu)良的表面陷光性能和更優(yōu)的背面鈍化效果，更加兼容高效多晶PERC技術(shù)。自問世以來，以其高效、穩(wěn)定的產(chǎn)品表現(xiàn)，獲得市場的一致好評。據(jù)了解，“TS+”第二代黑硅片制絨成本降低約30%，背面拋光工藝更適用于PERC技術(shù)，通過一系列工藝技術(shù)優(yōu)化，“TS+”第二代黑硅片的電池效率增益將提升至0.5%，而組件功率增益也將提升至5W(60片)。

硅片端的技術(shù)升級為后序的電池端帶來良好收益。5月27日，協(xié)鑫集成重磅發(fā)布了超高效300W+系列新品，4款高度集成協(xié)鑫最新前沿技術(shù)的MBB新多單晶高效組件正式亮相。其中，應(yīng)用了“TS+”第二代黑硅片的300W+單玻系列MBB多晶組件，量產(chǎn)功率達305W，是全球量產(chǎn)效率最高的多晶常規(guī)版型組件，超過應(yīng)用領(lǐng)跑者滿分指標。

保利協(xié)鑫以出色的硅料品質(zhì)、持續(xù)降低的鑄錠單位能耗、金剛線切片技術(shù)改造助力多晶硅片繼續(xù)保持性價比優(yōu)勢，通過技術(shù)升級和工藝改進，多晶硅片每年可以提升0.1%-0.2%的轉(zhuǎn)換效率。此外，保利協(xié)鑫儲備多年的鑄錠單晶技術(shù)將迎來市場化，鑄錠單晶硅片下個月將接受客戶訂單。繼金剛線切黑硅片之后，鑄錠單晶硅片也將成為對市場有重大影響的差異化產(chǎn)品，進一步縮小同直拉單晶硅片之間的效率差距，而且將在性價比方面具有較強的競爭力。